作为全球半导体显示产业龙头企业，BOE（京东方）带领中国显示产业实现了从无到有、从有到大、从大到强。目前全球每四个智能终端就有一块显示屏来自BOE（京东方），其超高清、柔性、微显示等解决方案已广泛应用于国内外知名品牌。全球市场调研机构Omdia数据显示，2020年，BOE（京东方）在智能手机液晶显示屏、平板电脑显示屏、笔记本电脑显示屏、显示器显示屏、电视显示屏等五大应用领域出货量均位列全球第一。

  在Mini LED领域，BOE（京东方）以独有的主动式驱动架构、高速转印技术，为客户提供半导体工艺和先进微米级封装工艺的下一代LED显示系统及解决方案，目前已推出75英寸8K Mini LED、0.9mm像素间距Mini LED显示产品等，为人们带来全新的“视”界。

  传感器及解决方案事业聚焦医疗影像、生物检测、智慧视窗、微波通信、指纹识别等领域，BOE（京东方）拥有从12英寸到46英寸的全尺寸X-ray平板探测器背板产品（FPXD），广泛应用于欧美、日本、韩国等全球高端医疗器械公司；智慧视窗通过显示和传感技术创新，为交通、建筑等领域提供极具竞争力的传感器件及解决方案。

  智慧系统创新事业通过人工智能、大数据、云计算技术，聚焦软硬融合的产品与服务，提供智慧城市、智慧金融、智慧园区、智慧交通、城市亮化、智慧政务、智慧教育、智慧医疗、智慧能源等物联网细分领域整体解决方案。目前，BOE（京东方）智慧金融解决方案覆盖超过1500个网点，智慧交通解决方案为中国80%以上的高铁线路提供产品和服务，创新产品及解决方案已遍布全球。

  BOE（京东方）智慧医工事业将科技与医学相结合，医工融合创新，坚持以人为中心，聚焦家庭、社区、医院，通过构建健康物联网平台，连接检测设备、医护人员与客户，形成智慧健康管理生态系统，打造以健康管理为核心、智慧终端为工具、数字医院为支撑的O+O全周期健康服务闭环，为人们提供优质、便捷的健康医疗服务。目前，BOE（京东方）已在北京、合肥、成都、苏州等地布局多家数字医院，围绕智慧急救、智慧康养等场景，提供定制化、软硬融合的健康物联网解决方案，为人们提供从“预防、诊疗到康复”全周期的健康医疗服务。

  截至2020年，京东方累计可使用专利超7万件，在年度新增专利申请中，发明专利超90%，海外专利超过35%，覆盖美国、欧洲、日本、韩国等多个国家和地区。美国专利服务机构IFI Claims发布2020年度美国专利授权量统计报告，京东方全球排名跃升至第13位，美国专利授权量达2144件，连续3年跻身全球TOP20；京东方已连续多年在世界知识产权组织（WIPO）专利排名中位列全球前十。

  BOE（京东方）在北京、合肥、成都、重庆、福州、绵阳、武汉、昆明、苏州、鄂尔多斯、固安等地拥有多个制造基地，子公司遍布美国、德国、英国、法国、瑞士、日本、韩国、新加坡、印度、俄罗斯、巴西、阿联酋等19个国家和地区，服务体系覆盖欧、美、亚、非等全球主要地区。

1、阵列基板及其制作和维修方法、显示装置

申请号：CN201210430745.2摘要：本发明提供一种阵列基板，包括引线和像素电极，所述引线和像素电极之间具有绝缘层，其中，所述像素电极与引线分隔设置且所述像素电极与引线之间能够导通。相应地，提供一种包括上述阵列基板的显示装置、上述阵列基板的维修方法以及制作方法。本发明所述阵列基板以及采用本发明所述制作方法制成的阵列基板在消除亮点像素瑕疵时不增加现有制作工艺、可靠性高、方便省时。

2、彩色滤光片及其制造方法和液晶显示装置

申请号：CN200710178873.1

摘要：本发明涉及一种彩色滤光片及其制造方法和液晶显示装置。该彩色滤光片包括基板；形成在基板上的第一引线，与第一引线连接的光敏元件；黑矩阵，在黑矩阵覆盖光敏元件位置形成有第一过孔；形成在黑矩阵上，与第一引线垂直，并通过第一过孔与同行的光敏元件连接的第二引线；以及彩色树脂。一种制造方法用于制造本发明的彩色滤光片，依次制备第一引线、光敏元件、黑矩阵及其上的第一过孔、第二引线和彩色树脂。另一种制造方法进一步包括制备连接第一引线和光敏元件的跨接线的步骤。该液晶显示装置包括本发明的彩色滤光片及与其对盒的阵列基板和其间的液晶层。本发明实现了触摸屏功能，且产品厚度小、光的利用率高，整体性能好。

3、一种TFT阵列结构及其制造方法

申请号：CN200610138045.0

摘要：本发明公开了一种TFT阵列结构，包括：基板；栅线和一体的栅电极，形成在基板上，并依次覆盖有栅绝缘层、半导体层；一阻挡层，形成在半导体层上并露出两侧的部分半导体层；绝缘层，形成在栅线及栅电极、栅绝缘层、半导体层和阻挡层的两侧；欧姆接触层，形成在半导体层和阻挡层的上方；晶体管沟道；数据线及源电极、漏电极；钝化层；像素电极，形成在钝化层上并通过孔与源电极连接。其中绝缘层最好为聚合物。本发明同时公开了一种TFT阵列结构的制造方法。本发明能保证TFT阵列有很小的关态电流；能 降低工艺开发的难度和成本；能减少金属断线的发生和钝化层内部应力的堆积，有利于成品率的提高。

4、背光源亮度调节装置和方法及显示器

申请号：CN200710122384.4

摘要：本发明涉及一种背光源亮度调节装置，包括背光源，用于供给液晶屏亮度并提高色域；控制装置，与所述背光源相连接，用于根据采集到的光强度信号自动调节背光源亮度。本发明还涉及一种背光源亮度调节方法，控制装置根据接收到的光强度信号，对背光源的亮度进行调节。本发明还涉及一种包括背光源亮度调节装置的显示器。本发明提高了显示器调节的自动化程度，能够满足人眼生理需求，保护视力，在不影响显示品质的情况下，节省电能。

5、像素单元，阵列基板、液晶面板、显示装置及其制造方法

申请号：CN201110315240.7

摘要：本发明公开了一种像素单元，阵列基板、液晶面板、显示装置及其制造方法，涉及液晶显示技术领域，为提高像素开口率、降低功耗、提高显示效果而发明。所述像素单元，包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极，所述薄膜晶体管包括栅极、设置于所述栅极之上的栅绝缘层、设置于所述栅绝缘层之上有源层、设置于所述有源层之上的源极和漏极、以及设置于所述源极和漏极之上的钝化层；其中，所述公共电极直接设置在所述钝化层之上，所述像素电极设置在所述钝化层之下，并与所述薄膜晶体管的漏极相连接。所述阵列基板、液晶面板、显示装置及其制造方法，均可以提高可视角度，并降低功耗，提高开口率，进而提高显示品质。本发明可用于液晶显示。

6、包含苯基吡啶单元的化合物

申请号：CN200980119925.5

摘要：在光电子器件中可使用式I的有机化合物其中R1在每次出现时独立为C1‑C20脂族基团、C3‑C20芳族基团或C3‑C20脂环族基团；R2在每次出现时独立为C1‑C20脂族基团、C3‑C20芳族基团或C3‑C20脂环族基团；a在每次出现时独立为0至4的整数；b在每次出现时独立为0至3的整数；Ar1为直接键或杂芳基、芳基或烷基或环烷基；Ar2为杂芳基、芳基或烷基或环烷基；c为0、1或2；且n为2至4的整数。

7、一种TFT LCD阵列基板结构及其制造方法

申请号：CN200610080640.3

摘要：本发明公开了一种TFT LCD阵列基板结构，包括基板、栅线、栅电极、栅绝缘层、半导体层、欧姆接触层及数据线，其特征在于：所述基板及栅绝缘层上除形成半导体层和欧姆接触层部分外的部分均覆盖有绝缘介质层，像素电极形成在该绝缘介质层和薄膜晶体管的欧姆接触层上方，源电极和漏电极形成在像素电极的上方，钝化层形成在源漏电极的上方。本发明同时也公开了TFT LCD阵列基板结构的制造方法。本发明通过将原来的5Mask工艺简化为3Mask工艺，共减少两次光刻过程，从而达到减少工艺步骤的目的；通过合并源漏电极光刻和像素电极光刻，使得源漏电极金属层和像素电极层可以在相同或者不同溅射设备中连续沉积，提高溅射设备的利用率。

8、一种TFT阵列结构及其制造方法

申请号：CN200710063236.X

摘要：本发明公开了一种TFT阵列结构，包括：一基板；一栅线和与其一体的栅电极，栅线和栅电极的上方依次覆盖有栅绝缘层、半导体层和欧姆接触层；一绝缘层，形成在栅线及栅电极、栅绝缘层、半导体层和欧姆接触层的两侧；一沟道，截断欧姆接触层；一数据线及与其一体的源电极和漏电极；一钝化层，形成在数据线、源电极及漏电极的上方；一过孔，形成在漏电极的上方；一像素电极，形成在钝化层上，并通过过孔与漏电极连接。其中绝缘层的材料为聚合物。本发明同时公开了一种TFT矩阵结构的制造方法。本发明通过提供一种无狭缝光刻工艺的TFT四次光刻制造方法，能使TFT阵列的制造工艺向简单化和低成本化方向发展。

9、3D面板、3D显示设备及相位差板制作方法

申请号：CN201110145466.7

摘要：本发明公开了一种3D面板，包括液晶面板和相位差板，该液晶面板包括上基板和下基板，上基板包括上偏光片，下基板包括下偏光片，所述相位差板直接覆盖于液晶面板的上基板的上表面。本发明还公开了一种3D显示设备。本发明还提供了一种相位差板制作方法以及一种3D面板制作方法。本发明提高了相位差板与显示面板的对位精度及产品良率；减少了相位差板基板和粘合剂的使用，降低了成本，同时减小了透光损失，增大了垂直方向上的观看角度。

10、一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板

申请号：CN201110076083.9

摘要：本发明实施例公开了一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，涉及薄膜晶体管及显示面板的设计和制备领域，用以降低源漏极的寄生电阻。所述非晶氧化物薄膜晶体管，在基板上包括：栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极、漏极以及钝化保护层，并且所述半导体有源层为沟道层和欧姆接触层的双层结构，所述沟道层比所述欧姆接触层的含氧量高；另外，所述沟道层与所述栅绝缘层相贴合，所述欧姆接触层分为两个独立的欧姆接触区，且所述两个独立的欧姆接触区分别与所述源极、漏极相贴合。